제목 [칩톡]역대급 수요 맞은 D램…'3D 진화'로 새 국면 연다 작성자 aa 작성일자 2026-01-24 조회수 23 시제품이 공개된 뒤엔, 3D D램으로 가는 길은 더욱 순탄해질 것이다. 그리고 내년쯤 D램 시장은 3D를 필두로 본격적으로 재편될 수 있다. 업계는 이를 메모리 시장의 전체 판도를 뒤집어엎을 사건이 될 수 있다고 본다. D램은 고대역폭메모리(HBM) 등 AI 시대에 각광 받는 고성능 메모리를 만드는 기반이 되고 있기 때문이다. 단순 가정만으로도, HBM이 D램을 쌓아 올려서 만드는 제품인 점을 고려하면 D램이 3D로 진화한 후의 HBM은 지금의 기술적 한계를 넘고 새로운 전기를 맞게 될 것이란 전망이 가능하다. 이와 같은 장밋빛 미래와 그 중요성은 최근 시장에서 더욱 부각되고 있다. 이로 인해, 누구보다 선두에 서기 위한 기업 간 경쟁은 가열되고 있다. 셀 구조를 '수평'에서 '수직'으로 D램을 3D로 만드는 건, 셀의 배열을 '수평'에서 '수직'으로 바꾸는 걸 말한다. 셀은 데이터를 저장하는 공간이다. 3D D램은 셀을 수평으로 배치해온 기존 D램이 미세화에서 한계를 보이기 시작하면서 고안됐다. AI의 성능은 차츰 고도화되고 이에 맞춰 D램도 데이터를 더욱 많이 저장할 수 있는 능력을 요구받게 됐는데, 기존 D램으론 이를 모두 수용하기가 어려워진 것이다. 데이터를 많이 담는 만큼 짊어져야 하는 전력과 에너지, 발열문제 등도 풀어야 할 숙제로 대두됐다. 이로 인해 업계는 10나노미터(㎚=10억분의 1ｍ) 이하 단계부터 D램이 달라져야 한다고 봤다. D램 안의 한정된 공간을 최대한 활용하고 세분화할 방식을 찾다 생각해낸 것이 '뒤집기'였다. 셀을 수평이 아닌 수직으로 두자는 발상에 이르렀다. 셀을 수직으로 둘 수 있다면, D램 내 공간의 활용도는 보다 넓어지면서 데이터의 집적도, 속도, 전력 효율을 동시에 개선할 수 있을 것으로 봤다. 셀이 하늘을 향해 세워지면서 셀을 작동하는 차단기의 역할을 하는 트랜지스터의 간섭 등 문제도 피할 수 있을 것으로 판단하고 있다. 다만 수평에서 수직으로 구조를 바꾸는 대대적인 변화인 관계로, 3D D램으로의 기술 직행이 어렵다. 기업들은 개발에 있어 단계를 하나씩 밟아나가고 있다. 현재 6F²광주출장샵 속초출장샵로 된 D램을 먼저 4F²로의 전환을 시도하고 있다. F²는 셀이 차지하는 단위 면적이다. 그래서 4F²는 한 개의 셀이 2F X 2F 면적을 차지한다는 의미로, 칩 하나에 더 많은 셀을 넣기 위한 고집적 기술이다. 삼성·SK는 단계적 접근·마이크론은 특허 메모리 업계를 대표하는 3사가 모두 3D D램 구현을 위해 힘쓰고 있지만, 그 방식은 대조적이다. 우리 기업, 삼성전자와 SK하이닉스는 단계를 밟아가며 차근차근 3D D램을 향해 가고 있다. 미세한 차이는 있지만, 기본적으론 D램을 6F²에서 4F²로 먼저 전환, 이후에 3D D램으로 가겠단 큰 틀은 같다. 그런 가운데서 삼성전자는 트랜지스터 등 세부적인 부분에서 혁신을 담아 차별성을 두려 하는 것으로 전해진다. 수직 적층 셀 어레이 트랜지스터(VS-CAT), 수직 채널 트랜지스터(VCT) 등 3D D램을 구현할 수 있는 다방면의 기술들을 살피고 최선책을 고심하고 있는 것으로 알려졌다. 이 과정에선 2024년 5월께 3D D램을 16단까지 쌓는 데까지 성공한 것으로 알려져 업계의 주목을 받기도 했다. 첨부파일